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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0125639 (1980-02-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 4 |
A method of applying thin metal sensitizing deposits to the exposed silicon areas of a silicon substrate having areas of exposed silicon and silicon oxide, including the steps of immersing the silicon substrate in a basic, aqueous solution containing a metal salt of the metal to be deposited, partic
A method of applying thin metal sensitizing deposits from aqueous solution to the exposed silicon areas of a silicon substrate having exposed areas of silicon and silicon oxide, which comprises, immersing the silicon substrate in a basic, aqueous solution containing a metal salt of the metal to be d
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