[특허]Method of applying thin metal deposits to a substrate

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Method of applying thin metal deposits to a substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	C23C-003/02 H01L-021/288
출원번호	US-0125639 (1980-02-28)
발명자 / 주소	Denning Richard (Springfield NJ) Spak Mark A. (Edison NJ) Polhemus Barry (Hampton NJ)
출원인 / 주소	RCA Corporation (New York NY 02)
인용정보	피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 4

초록 ▼

A method of applying thin metal sensitizing deposits to the exposed silicon areas of a silicon substrate having areas of exposed silicon and silicon oxide, including the steps of immersing the silicon substrate in a basic, aqueous solution containing a metal salt of the metal to be deposited, particularly a nickel, cobalt, or platinum salt, and thereafter reducing the metal ion of the salt to the elemental metal by use of the exposed silicon as the reducing agent.

대표청구항 ▼

A method of applying thin metal sensitizing deposits from aqueous solution to the exposed silicon areas of a silicon substrate having exposed areas of silicon and silicon oxide, which comprises, immersing the silicon substrate in a basic, aqueous solution containing a metal salt of the metal to be deposited, not containing a reducing agent and reducing the metal ion by use of the exposed silicon as the reducing agent to the elemental metal.

이 특허에 인용된 특허 (4)

Fraser David Bruce (Berkeley Heights NJ) MacRae Alfred Urquhart (Berkeley Heights NJ), Method for making patterned platinum metallization.
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Feldstein Nathan (63 Hemlock Cir. Princeton NJ 08540), Method for rendering a non-platable semiconductor substrate platable.
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Leibfried Wolfgang (Leonberg DT) Schynoll Wolfgang (Bietigheim DT) Wulff Dietrich (Gerlingen DT), Method of making high speed silicon switching diodes.
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Tanaka Yoshimi (Kyoto JA) Hattori Hirotsugu (Takatsuki JA), Method of manufacturing semiconductor devices.
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이 특허를 인용한 특허 (11)

Suchentrunk, Christof; Schwarz, Christian, Activation method for silicon substrates comprising at least two aromatic acids.
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Bindra Perminder S. (Johnson City NY) Canaperi Donald F. (Bridgewater CT) David Allan P. (Binghamton NY) Light David N. (Friendsville PA), Conditioning a dielectric substrate for plating thereon.
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Weidman, Timothy W.; Wijekoon, Kapila P.; Zhu, Zhize; Gelatos, Avgerinos V. (Jerry); Khandelwal, Amit; Shanmugasundram, Arulkumar; Yang, Michael X.; Mei, Fang; Moghadam, Farhad K., Contact metallization scheme using a barrier layer over a silicide layer.
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Zhou,Ying; Metz,Matthew V.; Brask,Justin K.; Burghard,John; Kuhn,Markus; Datta,Suman; Chau,Robert S., Depositing an oxide.
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Stewart, Michael P.; Weidman, Timothy W.; Shanmugasundram, Arulkumar; Eaglesham, David J., Electroless deposition process on a silicon contact.
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Stewart, Michael P.; Weidman, Timothy W.; Shanmugasundram, Arulkumar; Eaglesham, David J., Electroless deposition process on a silicon contact.
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Xiang Qi ; Pramanick Shekhar, Elevated salicide technology.
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van der Putten Andreas M. T. P. (Eindhoven NLX), Method of manufacturing a semiconductor device.
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Donnelly Vincent M. (Berkeley Heights NJ) Karlicek ; Jr. Robert F. (Kenilworth NJ), Radiation induced deposition of metal on semiconductor surfaces.
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Georgiou George E. (Gillette NJ) Poli Gary N. (High Bridge NJ), Selective electroless plating of vias in VLSI devices.
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Holdermann Konstantin (Offingen DEX) Munzer Adolf (Lohhof DEX) Schmidt Hans-Josef (Munich DEX), Solar cell with combined metallization and process for producing the same.
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관련 콘텐츠

특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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