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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0104590 (1979-12-14) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 96 인용 특허 : 5 |
A sensor correction circuit uses a programmable read only memory (PROM) for storing characterizing information for an associated sensor or transducer. The information is stored in the 1×2048 bit configuration. The programmable read-only memory (PROM) has its parallel outputs connected to correspondi
A sensor correction circuit comprising: a process variable sensor means, a programmable read-only memory for storing a predetermined number of digital data bits in respective data storage cells, a shift register having a plurality of digital bit storage stages at least equal in number to the number
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