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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0185867 (1980-09-11) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 3 인용 특허 : 5 |
Efficiency of silicon solar cells containing about 1015 atoms/cm3 of chromium is improved about 26% by thermal annealing of the silicon wafer at a temperature of 200°C. to form chromium precipitates having a diameter of less than 1 Angstrom. Further improvement in efficiency is achieved by scribing
A photovoltaic solar cell device comprising a silicon wafer doped with an element providing a first conductivity type and containing 1013 to 1016 atoms/cm3 of chromium in the form of precipitates having a diameter less than 1 Angstrom and containing a surface layer of opposed conductivity type; and
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