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Sintered silicon carbide ceramic body 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C04B-035/56
출원번호 US-0584226 (1975-06-05)
발명자 / 주소
  • Coppola John A. (Lewiston NY) Hailey Lawrence N. (Niagara Falls NY) McMurtry Carl H. (Youngstown NY)
출원인 / 주소
  • Kennecott Corporation (Stamford CT 02)
인용정보 피인용 횟수 : 24  인용 특허 : 0

초록 ▼

Pressureless sintering of silicon carbide to produce ceramic bodies having 75% and greater theoretical densities, can be accomplished by firing shaped bodies, containing finely divided silicon carbide, boron source such as boron carbide, carbon source such as phenolic resin and a temporary binder, a

대표청구항 ▼

A pressureless sintered ceramic body consisting essentially of: (a) from about 91 to about 99.35% by weight silicon carbide, the silicon carbide comprising at least about 5% by weight of alpha, non-cubic crystalline silicon carbide; (b) from about 0.5 to about 5.0% uncombined carbon; (c) from about

이 특허를 인용한 특허 (24)

  1. Ivanov Jury Jurievich,RUX ; Rozanov Boris Dmitrievich,RUX ; Chelkis Felix Jurievich,RUX ; Tjurin Alexandr Anatolievich,RUX ; Polushin Valentin Georgievich,RUX ; Baboshin Alexandr Antonovich,RUX ; Kol, Ampoule with starting fuel for igniting LRE propellant components.
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  2. Renlund Gary M. (Scotia NY) Johnson Curtis A. (Schenectady NY), Binder removal from thermoplastically formed SiC article.
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  3. Dunn, Michael P.; Dunn, Michael L., Carbide material by electromagnetic processing.
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  4. Coppella Steven J. ; Thorwart Laurence J. ; Pfaff Mark E. ; Erich David A., Carbon-graphite/silicon carbide composite article.
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  5. Divakar Ramesh ; Lau Sai-Kwing, Ceramic comprising silicon carbide with controlled porosity.
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  6. Tenhover Michael A. (East Amherst NY) Ruppel Irving B. (Kenmore NY), Ceramic substrate with silicon carbide smoothing layer.
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  7. Chen Xin E. (St. Marys PA) Pfaff Mark E. (St. Marys PA), Dense, self-sintered silicon carbide/carbon graphite composite.
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  8. Ruhl Robert C. ; Hardman Stephen,GBX ; Kenyon Michael R.,GBX ; McFarlane Roderick A.,GBX, Endothermic reaction apparatus.
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  9. Ruhl Robert C. (Cleveland Heights OH) Felice Ralph A. (Macedonia OH), Endothermic reaction apparatus and method.
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  10. Ruhl Robert C. ; Felice Ralph A., Endothermic reaction apparatus and method.
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  11. Johnson, Curtis A.; Renlund, Gary M.; Van Buren, Charles E.; Prochazka, Svante, Fabrication of small dense silicon carbide spheres.
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  12. Willkens, Craig Andrew; Fernandez, Frederick Taylor, Hot surface igniters and methods of making same.
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  13. Yamada, Koichi; Mouri, Masahide; Nomura, Yoshisaburo, Method for manufacturing high-strength sintered silicon carbide articles.
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  14. Yamada Koichi (Niihama JPX) Mouri Masahide (Niihama JPX), Method for producing high-density sintered silicon carbide articles.
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  15. Chen Xin E. ; Pfaff Mark E., Process for producing dense, self-sintered silicon carbide/carbon-graphite composites.
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  16. Jeevanantham, Muthu; Orlhac, Xavier, Self-bonded foamed abrasive articles and machining with such articles.
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  17. Jeevanantham, Muthu; Orlhac, Xavier, Self-bonded foamed abrasive articles and machining with such articles.
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  18. Prochazka Svante (Ballston Lake NY), Silicon carbide sintered body.
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  19. Yoshida Hisayoshi (Ogoori JPX) Ogawa Ichitaro (Tosu JPX) Hagio Tsuyoshi (Tosu JPX) Kobayashi Kazuo (Kurume JPX) Yamamoto Takayoshi (Iizuka JPX), Silicon carbide-boron carbide carbonaceous body.
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  20. Yamada Koichi (Niihama JPX) Mouri Masahide (Niihama JPX) Nomura Yoshisaburo (Uma JPX), Sintered silicon carbide articles.
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  21. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Reini George I. (Lewiston NY), Sintered silicon carbide/carbon composite ceramic body having fine microstructure.
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  22. Boecker Wolfgang D. G. (Lewiston NY) Hailey Laurence N. (Niagara Falls NY), Sintered silicon carbide/graphite/carbon composite ceramic body having ultrafine grain microstructure.
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  23. Ellul,Maria D.; Hazelton,Donald R., Translucent thermoplastic elastomers.
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  24. Tenhover Michael A. (East Amherst NY), Ultra-smooth ceramic substrates and magnetic data storage media prepared therefrom.
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