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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0147997 (1980-05-12) |
우선권정보 | DE-2943565 (1979-10-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 2 인용 특허 : 7 |
Disclosed is a simulated storage cell structure for use as a reference voltage generator in a semiconductor store fabricated in Merged Transistor Logic (MTL) technology. The simulated storage cell structure includes n elongated regions of P-type diffusion arranged in parallel to each other in an N-t
A solid state reference voltage generator circuit structure for a solid state memory fabricated in a P-type substrate of semiconductor material, said solid-state reference voltage generator circuit structure comprising: an N-type epitaxial layer formed on a surface of said P-type substrate; an N-typ
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