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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0055755 (1979-07-09) |
우선권정보 | JP-0096722 (1978-08-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 52 인용 특허 : 11 |
A pressure sensor of the type having a semiconductor diaphragm such as a silicon diaphragm which is formed with at least one diffused resistor in a surface region on one side thereof. A silicon block having the diaphragm is bonded to the inside of a box-like package such that the diffused resistor i
A pressure sensor comprising: (a) a probe assembly comprising (i) a pressure-sensitive element comprising a block of a crystalline semiconductor a portion of which takes the form of a diaphragm having front and back sides and at least one diffused resistor formed in a surface region on said front si
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