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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0173198 (1980-07-28) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 31 인용 특허 : 4 |
The method of applying ohmic contacts to a semiconductor, such as a silicon body or wafer used in solar cells, by the use of arc plasma spraying, and solar cells resulting therefrom.
A p-n junction solar cell having arc plasma sprayed ohmic contacts on the p side or n side of the junction, the thickness of said contact being in the range of from about 5 to about 40 microns.
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