최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0131820 (1980-03-19) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 6 |
A method of producing semicrystalline silicon by heating the silicon to a molten state and gradually cooling the silicon to mitigate disruptions in the silicon continuum and promote semicrystalline growth. The product formed is a silicon body, which may be sliced into wafers having highly ordered gr
A semicrystalline silicon wafer composed of randomly arranged silicon grains, such grains at least at one surface of the wafer having a mean diameter of at least about one mm. and abutting each other at the boundaries of the grains, said grains at their interiors being composed of silicon of relativ
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.