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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0069405 (1979-08-24) |
우선권정보 | JP-0013424 (1979-02-06); JP-0102329 (1979-08-24) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 2 |
A temperature detecting apparatus having a first transistor connected in diode configuration or a first diode, with its forward current set in certain value. A second transistor has similar electrical characteristics as the first transistor or the first diode, with the anode or cathode of the first
A temperature detecting apparatus, comprising: a first transistor having an emitter, base and collector and having a thermal time constant with respect to ambient temperature; a first current path including the emitter-collector path of said first transistor; a semi-conductor element having an anode
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