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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0234567 (1981-02-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 3 |
An improved process for fabricating amorphous silicon solar cells in which the temperature of the substrate is varied during the deposition of the amorphous silicon layer is described. Solar cells manufactured in accordance with this process are shown to have increased efficiencies and fill factors
In an improved method for fabricating amorphous silicon solar cells of the type comprising an amorphous silicon layer deposited on a substrate, the improvement comprising varying the temperature of the substrate during the deposition of the amorphous silicon layer such that the temperature is lowest
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