최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0198567 (1980-10-20) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 2 |
Extremely cold gaseous nitrogen is used as a cooling medium in the highly exothermic reaction between a chemical etch solution and silicon. This greatly increases the throughput of silicon material through the etchant over prior art techniques, particularly where it is desired to maintain the temper
Structure for holding an etchant for use in etching semiconductor wafers containing on one surface thereof masking material to protect circuitry formed adjacent said one surface from said etchant comprising: an etchant tank having an inner wall and an outer wall, for containing an etchant for use in
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.