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특허 상세정보

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Epitaxial crystal fabrication of SiC:AlN

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C30B-025/02   
미국특허분류(USC) 156/610; 156/DIG.061
출원번호 US-0280145 (1981-06-30)
발명자 / 주소
출원인 / 주소
대리인 / 주소
    Pollock, Vande Sande & Priddy
인용정보 피인용 횟수 : 17  인용 특허 : 4
초록

Crystals of silicon carbide and aluminum nitride, substrates containing same, and the fabrication thereof.

대표
청구항
▼

1. A process for growing a crystal of (SiC) x (AlN) 1-x wherein x is about 0.2 to about 0.5, which comprises: providing an Al 2 O 3 substrate; providing a first source for SiC and a second source for AlN in proximity to said substrate; heating said first and second sources to the range of about 1900° to about 2020° C. in the presence of N 2 +H 2 gas flowing over said sources in the direction towards said substrate. 2. The process of claim 1 wherein said source for SiC is SiC. 3. The process of claim 1 wherein said source for AlN is AlN. 4. The pro...

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Knippenberg Wilhelmus Franciscus (Eindhoven NL) Verspui Gerrit (Eindhoven NL). Filamentary silicon carbide crystals by VLS growth in molten iron. USP1977034013503.
  2. Vodakov Jury A. (prospekt Engelsa ; 69/1 ; kv. 35 Leningrad SU) Mokhov Evgeny N. (prospekt Energetikov ; 54 ; korpus 2 ; kv. 59 Leningrad SU). Method for epitaxial production of semiconductor silicon carbide utilizing a close-space sublimation deposition techniqu. USP1979044147572.
  3. Rutz Richard F. (Cold Spring NY). Process for producing electronic grade aluminum nitride films utilizing the reduction of aluminum oxide. USP1979054152182.
  4. Dryburgh Peter M. (Dalkeith GB6). Synthesis of aluminum nitride. USP1979104172754.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 17

  1. Katou, Tomohisa; Nagai, Ichirou; Miura, Tomonori; Kamata, Hiroyuki. Apparatus for manufacturing aluminum nitride single crystal, method for manufacturing aluminum nitride single crystal, and aluminum nitride single crystal. USP2014028641821.
  2. Hunter Charles Eric. Bulk single crystals of aluminum nitride. USP2001106296956.
  3. Hunter Charles Eric. Growth of bulk single crystals of aluminum nitride. USP2000046045612.
  4. Hunter Charles Eric. Growth of bulk single crystals of aluminum nitride. USP1999015858086.
  5. Hunter Charles Eric. Growth of bulk single crystals of aluminum nitride from a melt. USP1999095954874.
  6. Hunter Charles Eric. Growth of bulk single crystals of aluminum nitride: silicon carbide alloys. USP2000076086672.
  7. Shim Kyu Hwan,KRX ; Paek Mun Cheol,KRX ; Cho Kyoung Ik,KRX. Method for fabricating optoelectronic device in low-temperature deposition and thermal treatment. USP2000096124147.
  8. Suzuki Akira (Nara JPX) Furukawa Katsuki (Sakai JPX) Shigeta Mitsuhiro (Tenri JPX). Method of fabricating single-crystal substrates of silicon carbide. USP1990014897149.
  9. Satoh, Issei; Miyanaga, Michimasa; Fujiwara, Shinsuke; Nakahata, Hideaki. Method of manufacturing a Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, method of manufacturing an epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv substrate, and epitaxial wafer. USP2013098540817.
  10. Choi, Young-Ho; Han, Do Suck; Choi, Chi-Hoon. Preparation method for hollow carbon fiber using supercritical fluid. USP2013088501146.
  11. Satoh, Issei; Miyanaga, Michimasa; Fujiwara, Shinsuke; Nakahata, Hideaki. Process for producing Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, process for producing epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, and epitaxial wafer. USP2014058715414.
  12. Satoh, Issei; Miyanaga, Michimasa; Fujiwara, Shinsuke; Nakahata, Hideaki. Process for producing Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, process for producing epitaxial wafer, Si(1-v-w-x)CwAlxNv base material, and epitaxial wafer. USP2013018357597.
  13. Hunter Charles Eric. Production of bulk single crystals of aluminum nitride, silicon carbide and aluminum nitride: silicon carbide alloy. USP2000056063185.
  14. Shim Kyu Hwan,KRX ; Choi Sung Woo,KRX ; Baek Mun Cheol,KRX ; Cho Kyoung Ik,KRX ; Lee Hae Gwon,KRX. Short-wavelength optoelectronic device including field emission device and its fabricating method. USP2000106139760.
  15. Satoh, Issei; Miyanaga, Michimasa; Fujiwara, Shinsuke; Nakahata, Hideaki. Si(1-V-W-X)CWAlXNV substrate, and epitaxial wafer. USP2015018937339.
  16. Sepehry-Fard Fareed,CAX ITX H4K 2K2. Solid phase epitaxy reactor, the most cost effective GaAs epitaxial growth technology. USP1998035725659.
  17. Rutz Richard F. (Cold Spring NY). Structure containing epitaxial crystals on a substrate. USP1984124489128.

IPC 상위 출원인