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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0356683 (1982-03-10) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 22 인용 특허 : 4 |
An improved thick film stannic oxide sensor is disclosed whereby the sensitivity of the sensor to CO is enhanced by the addition of a rare earth oxide to the sensor composition and the catalytic reactivity of the sensor, when contacted by a gas containing a reducing constituent, i.e., H2 or CO, and
A method of preparing a stannic oxide gas detecting film device responsive primarily to H2 present in an oxygen containing gas environment, comprising the steps of, solution precipitation of Sn(SO4)2 and SnO2, thermally decomposing the Sn(SO4)2 to SnO2, adding the SnO2 to a catalyst solution of acet
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