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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0272054 (1981-06-09) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 44 인용 특허 : 2 |
A method of laser trimming thin film resistors on semiconductive substrates wherein the laser is set to a frequency equal to or less than Eg/h, where Eg is the optical band-gap energy of the doped semiconductor substrate, and h is Planck\s constant.
The method of laser trimming of elements on a doped semiconductive substrate, wherein a laser beam is directed onto the element from the side of the substrate carrying the element and is so controlled as to vaporize or otherwise remove or alter the material of the element so as to achieve a predeter
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