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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0341589 (1982-01-21) |
우선권정보 | JP-0008758 (1981-01-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 2 |
A method for manufacturing a hybrid integrated circuit device comprising a step of forming an Al2O3 layer on a metal substrate, a step of forming on the Al2O3 layer a resist layer having a pattern opposite to that of a copper layer which will be formed on the Al2O3 layer by a later step, a step of f
A method for manufacturing a hybrid integrated circuit device comprising the following steps in the stated order: a step of forming a ceramic layer on a metal substrate by flame-spraying a ceramic material onto the metal substrate; a step of forming on said ceramic layer a resist layer having a patt
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