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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0309656 (1981-10-08) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 1 |
A method of depositing a high-emissivity layer on a substrate comprising RF sputter deposition of a carbide-containing target in an atmosphere of a hydrocarbon gas and a noble gas. As the carbide is deposited on the substrate the hydrocarbon gas decomposes to hydrogen and carbon. The carbon deposits
A method for depositing a carbon layer on a substrate comprising: providing a chamber for RF reactive sputter deposition, providing within the chamber a substrate and a target comprised of a carbide compound, providing a noble gas and a hydrocarbon gas to the chamber, applying RF power to the target
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