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Electrostatic bonded, silicon capacitive pressure transducer 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01G-007/00
출원번호 US-0310597 (1981-10-13)
발명자 / 주소
  • Grantham Daniel H. (Glastonbury CT) Swindal James L. (East Hampton CT)
출원인 / 주소
  • United Technologies Corporation (Hartford CT 02)
인용정보 피인용 횟수 : 18  인용 특허 : 2

초록

A plurality of silicon pressure transducers 10 are formed by processing two conductive silicon wafers 11, 14, one of the wafers including a layer of borosilicate glass 32, a thin portion of which 17 is on the surface 12 of one of the plates of a capacitor formed by field-assisted bonding together of

대표청구항

A method of forming a capacitive pressure sensor by field-assisted bonding of two pieces of silicon separated by borosilicate glass, to provide a pressure tight chamber including two closely-spaced surfaces having operative portions forming the respective plates of a pressure-variable capacitor, in

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Kurtz Anthony D. (Englewood NJ), Methods of fabricating low pressure silicon transducers.
  2. Boesen ; George Francis ; Kay ; Peter Lawrence, Variable area capacitive pressure transducer with temperature compensation.

이 특허를 인용한 특허 (18)

  1. Peters Arthur J. (Norco CA) Marks Eugene A. (Riverside CA), Batch-process silicon capacitive pressure sensor.
  2. Sanders Gary G. (Lakewood OH), Capacitive digital integrated circuit pressure transducer.
  3. Chen Shiuh-Hui Steven ; Ross Carl ; Hughes Donald L., Capacitive pressure sensor and method of fabricating same.
  4. Grantham Daniel H. (Glastonbury CT) Swindal James L. (East Hampton CT), Capacitive semiconductive sensor with hinged diaphragm for planar movement.
  5. Mikkor Mati (Ann Arbor MI), Hermetic sealing of silicon.
  6. Zias Arthur R. (Los Altos CA) Block Barry (Los Altos Hills CA) Mapes Kenneth W. (San Jose CA) Nystrom Norman L. (Sunnyvale CA) Cadwell Robert M. (Los Altos CA), High sensitivity miniature pressure transducer.
  7. Mikkor Mati (Ann Arbor MI), High temperature pressure sensor with low parasitic capacitance.
  8. Busch-Vishniac, Ilene J.; Lindenberger, W. Stewart, Integrated capacitive transducer.
  9. Park,Kyong M.; Spivak,Alexander F., Linearity semi-conductive pressure sensor.
  10. Grantham Daniel H. (Glastonbury CT), Low parasitic capacitance pressure transducer and etch stop method.
  11. Glück, Joachim, Manufacturing method for a thin-film high-pressure sensor.
  12. Chen Frank (Swindon GB2) Rogers Tony W. (Stoke Poges CT GB2) Blackaby David E. (West Suffield CT), Method of making capacitive pressure sensors.
  13. Mikkor Mati (Ann Arbor MI), Method of making silicon capacitive pressure sensor with glass layer between silicon wafers.
  14. Guckel Henry (Madison WI) Burns David W. (Madison WI), Sealed cavity semiconductor pressure transducers and method of producing the same.
  15. Ishio, Seiichiro; Toyoda, Inao; Hamamoto, Kazuaki; Suzuki, Yasutoshi, Semiconductor pressure sensor having strain gauge and circuit portion on semiconductor substrate.
  16. Mikkor Mati (Ann Arbor MI), Silicon capacitive pressure sensor and method of making.
  17. Ismail M. Salleh ; Garabedian Raffi M., Surface micro-machined sensor with pedestal.
  18. M. Salleh Ismail, Surface micro-machined sensor with pedestal.
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