최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0310597 (1981-10-13) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 2 |
A plurality of silicon pressure transducers 10 are formed by processing two conductive silicon wafers 11, 14, one of the wafers including a layer of borosilicate glass 32, a thin portion of which 17 is on the surface 12 of one of the plates of a capacitor formed by field-assisted bonding together of
A method of forming a capacitive pressure sensor by field-assisted bonding of two pieces of silicon separated by borosilicate glass, to provide a pressure tight chamber including two closely-spaced surfaces having operative portions forming the respective plates of a pressure-variable capacitor, in
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.