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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) | H01L-021/306 B44C-001/22 C03C-015/00 C03C-025/06 |
미국특허분류(USC) | 156/643 ; 156/345 ; 204/298 |
출원번호 | US-0342976 (1982-01-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 54 인용 특허 : 5 |
Method and apparatus are disclosed for plasma treating a substrate in a hermetic chamber with a magnetic field having lines of force which leave a support, extend across the surface of the substrate and re-enter the support to enclose the substrate exposed surface in a magnetic electron-trapping field. The voltage applied to the substrate support is adjusted to produce a dense glow discharge closely adjacent the substrate surface for reacting chemically therewith.
A method of plasma processing which includes the steps of placing at least one substrate on a substrate support electrode positioned in a hermetic chamber, evacuating the chamber, introducing a reactant gas into the chamber, and applying a voltage to the substrate support, wherein the improvement comprises: providing a magnetic field having lines of force which leave the support electrode, extend across the surface of the substrate exposed to the coating source, and re-enter the support to enclose said exposed surface in a magnetic electron-trapping fiel...