[특허]Process for selectively etching silicon

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Process for selectively etching silicon 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H01L-021/306 B44C-001/22 B05D-005/12 C03C-015/00
출원번호	US-0382050 (1982-05-25)
발명자 / 주소	Horwitz Christopher M. (Summer Hill AUX)
출원인 / 주소	Massachusetts Institute of Technology (Cambridge MA 02)
인용정보	피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 1

초록

A process is provided for selectively etching silicon by means of a plasma etching composition wherein an etching target is connected to a radio frequency voltage and a source of silicon and oxygen is provided with the plasma etching composition in order to minimize etching of a masking composition.

대표청구항 ▼

The process for selectively etching silicon in preference to a masking material on a surface of said silicon which comprises positioning a patterned masking material on said silicon, positioning said silicon on a target connected to a radio frequency electrode, introducing an etchant gas composition into said chamber under conditions to convert said etchant gas composition to a plasma, providing a source of oxygen and silicon to the interior of said chamber under conditions to deposit silicon dioxide selectively on said masking material layer and to etch silicon selectively from said silicon layer.

이 특허에 인용된 특허 (1)

Lifshitz Nadia (New Providence NJ) Moran Joseph M. (Berkeley Heights NJ) Wang David N. (Cupertino CA), High-selectivity plasma-assisted etching of resist-masked layer.
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이 특허를 인용한 특허 (14)

Wong Jerry Yuen Kui ; Wang David Nin-Kou ; Chang Mei ; Mak Alfred W. ; Maydan Dan, Bomine and iodine etch process for silicon and silicides.
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Wong Jerry Yuen-Kui ; Wang David Nin-Kou ; Chang Mei ; Mak Alfred W. S. ; Maydan Dan, Bromine and iodine etch process for silicon and silicides.
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Shibagaki Masami (Tokyo JPX), Etching method.
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Moll, Eberhard; Zanardo, Renzo, Holding device for a disk and application therefor.
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Stone Clark S. (San Jose CA), Materials and methods for etching tungsten polycides using silicide as a mask.
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Tai King L. (Berkeley Heights NJ) Vratny Frederick (Berkeley Heights NJ), Method for fabricating devices with DC bias-controlled reactive ion etching.
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Suhr Harald (Tbingen DEX) Feurer Ernst (Tbingen DEX) Oehr Christian (Reusten DEX), Method of producing metallic structures on inorganic non-conductors.
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Hirai Yutaka (Hikone JPX) Matsuyama Jinsho (Nagahama JPX) Shirai Shigeru (Nagahama JPX), Process for forming and etching a film to effect specific crystal growth from activated species.
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Bower Robert W. (Los Gatos CA), Process for forming slots having near vertical sidewalls at their upper extremities.
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Dockrey Jasper W. (Pflugerville TX), Process for preferentially etching polycrystalline silicon.
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Heinecke Rudolf A. H. (Harlow GB2) Ojha Suresh M. (Harlow GB2) Llewellyn Ian P. (Harlow GB2), Pulsed plasma process for treating a substrate.
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Hendrix Howard A. (Morgan Hill CA) Schmidt ; Jr. Howard W. (Gilroy CA) Ward Ernest S. (San Jose CA), RF plasma processing apparatus.
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Tsao, Kuey-Yeou, Selective LPCVD tungsten deposition by the silicon reduction method.
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Alexander ; Jr. Frank B. (Totowa NJ) Foo Pang-Dow (Berkeley Heights NJ) Schutz Ronald J. (Warren NJ), Selective etching process.
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특허 원문 보기

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IPC 상위 출원인

특허정보
IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

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