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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0401830 (1982-07-26) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 24 인용 특허 : 8 |
The manufacture of VLSI devices is facilitated by a method for chlorine reactive sputter etching of silicon materials in a plasma reactor that has been passivated by a previous etching operation involving a fluorine-containing gas. The passivated reactor is reactivated for chlorine reactive sputter
A method for manufacturing a device comprising at least one operation in which a layer of the device being manufactured is to be etched, wherein the device is etched in the presence of a plasma contained within an apparatus, the plasma being generated in a gaseous ambient by the application of an el
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