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High frequency semiconductor device

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-023/02
출원번호 US-0206543 (1980-08-20)
우선권정보 JP-0164786 (1978-12-28)
국제출원번호 PCT/JP79/00323 (1979-12-22)
§371/§102 date 19800826 (19800820)
국제공개번호 WO-8001437 (1980-07-10)
발명자 / 주소
  • Yamamura Shigeyuki (Kawasaki JPX) Kosemura Kinjiro (Kawasaki JPX) Shima Takao (Kawasaki JPX) Hidaka Norio (Kawasaki JPX)
출원인 / 주소
  • Fujitsu Limited (Kawasaki JPX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 14  인용 특허 : 3

초록

A high frequency, hermetically-sealed, semiconductor device with the capability of being cascade-connected with corresponding devices in an advantageous manner. The device consists of a function element which includes at least one semiconductor and other circuit elements necessary for forming a func

대표청구항

A high frequency semiconductor device comprising: (a) a metal base substrate for forming a ground electrode and for fixing said high frequency semiconductor device to an external element; (b) a function device mounted on said metal base substrate, comprising a plurality of first circuit elements inc

이 특허에 인용된 특허 (3)

  1. Stegens Ronald E. (Brookville MD), Microwave transistor amplifier.
  2. Dean Douglas J. (Reading GB2) Linford Patrick F. T. (Basingstoke GB2) Savage John (Newbury,all of GB2), Packages for microwave integrated circuits.
  3. Johnson Joseph H. (Sunnyvale CA), R.F. transistor package having an isolated common lead.

이 특허를 인용한 특허 (14)

  1. Satake, Takeo, Device housing package and electronic apparatus employing the same.
  2. Kraemer Erich H. (Clearwater FL), Hermetically sealed planar structure for high frequency device.
  3. Moriya, Osamu; Senju, Tomohiro, High frequency semiconductor amplifier.
  4. Yamamoto, Fumio, High-frequency hermetically-sealed circuit package.
  5. Bokatius, Mario M.; Aaen, Peter H.; Condie, Brian W., Methods and apparatus for a reduced inductance wirebond array.
  6. Kecelioglu, Galip; Eker, Taylan; Incebacak, Mustafa, Microwave component package.
  7. Ng, Choon Yong, Monolithic microwave integrated circuit.
  8. Yamamura Shigeyuki (Sagamihara JPX), Package for a microwave semiconductor device.
  9. Crane, Jr., Stanford W.; Jeon, Myoung-Soo; Alcaria, Vicente D., Packaged semiconductor device for radio frequency shielding.
  10. Yamamura Shigeyuki (Sagamihara JPX), Semiconductor device mounted in a housing having an increased cutoff frequency.
  11. Moriya, Osamu; Senju, Tomohiro, Semiconductor device package with strip line structure and high frequency semiconductor device thereof.
  12. Saitoh Yoshiharu,JPX, Semiconductor package and amplifier employing the same.
  13. Tomie, Satoru; Eblen, Mark; Watanabe, Eiji; Tanaka, Eiji, Semiconductor packaging structure and package having stress release structure.
  14. Shinbori Kenichi (Yokohama JPX) Ishikawa Kazuo (Yokohama JPX), Solid-state imaging device assembly.
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