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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0481953 (1983-04-04) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 23 인용 특허 : 11 |
A metal from group IVb of the periodic table is used as the target in a reactive deposition process. An inert gas such as argon is admitted within the chamber housing the target. Electrical power at a constant level is supplied to the target, ionizing the inert gas so that the ions bombard the metal
A process for the effective, rapid rate reactive deposition of a metallic compound in a chamber, using a metal from group IVb of the periodic table, including the steps of: evacuating the chamber and then filling the chamber with an inert gas, providing a target of the metal to be deposited in the c
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