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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0234287 (1981-02-13) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 66 인용 특허 : 8 |
The production of improved photoresponsive amorphous alloys and devices, such as photovoltaic, photoreceptive devices and the like; having improved wavelength threshold characteristics is made possible by adding one or more band gap increasing elements to the alloys and devices. The increasing eleme
An improved photoresponsive device including an amorphous p-type semiconductor alloy having a composition comprising: a. silicon; b. a p-type dopant; c. at least one density of states reducing element, said element being hydrogen; and d. a band gap increasing element, said band gap increasing elemen
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