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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0344084 (1982-01-29) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 3 |
A process for preparing high purity silicon metal from Na2SiF6 (sodium fluosilicate). The sodium fluosilicate is heated to decomposition temperature to form NaF, which retains most of the impurities, and gaseous SiF4. The SiF4 is then reduced by the bomb reduction method using a reductant having a l
A process for preparing high purity silicon from Na2SiF6 comprising: heating the Na2SiF6 to decomposition temperature to form NaF and gaseous SiF4, whereby most impurities remain with the NaF, feeding the gaseous SiF4 into the cavity of a reduction bomb containing a suitable reductant to form a reac
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