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Apparatus for vapor deposition of a film on a substrate 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/20
  • C23C-013/08
출원번호 US-0330262 (1981-12-14)
우선권정보 GB-0040921 (1980-12-20)
발명자 / 주소
  • Crawley John A. (Royston GB2)
출원인 / 주소
  • Cambridge Instruments Limited (Cambridge GB2 03)
인용정보 피인용 횟수 : 31  인용 특허 : 1

초록

Substrates on which vapor deposition is to take place are mounted on the outside of a generally bell-shaped susceptor which is itself mounted immediately outside a similarly shaped shield which is transparent to infra-red radiation. Infra-red lamps are mounted within the shield and the radiant heat

대표청구항

Vapour deposition apparatus for the deposition of a film on a substrate, comprising a source of radiant heat, mounting means for mounting the substrate to be heated by the radiant heat source, means defining a passageway over the substrate, means for passing reactant gas through the passageway so as

이 특허에 인용된 특허 (1)

  1. McNeilly Michael A. (Saratoga CA) Benzing Walter C. (Saratoga CA), Epitaxial radiation heated reactor.

이 특허를 인용한 특허 (31)

  1. Gat Arnon ; Champetier Robert J. ; Fabian Ram Z.,ILX, Apparatus and method for filtering light in a thermal processing chamber.
  2. Page ; Jr. Theron V. (Lake Oswego OR) Boydston Thomas F. (Tualatine OR) Posa John G. (Tigard OR), Apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition.
  3. Page ; Jr. Theron V. (Lake Oswego OR) Boydston Thomas F. (Tualatine OR) Posa John G. (Tigard OR), Apparatus to provide a vaporized reactant for chemical-vapor deposition.
  4. Goto Taizan (Numazu JPX) Sekiya Isao (Numazu JPX), Barrel type of epitaxial vapor phase growing apparatus.
  5. Gurary Alexander I. ; Stall Richard A. ; Karlicek ; Jr. Robert F. ; Zawadzki Peter ; Salagaj Thomas, Chemical vapor deposition apparatus.
  6. Nakayama Satoshi (Isehara JPX) Takeuchi Hideaki (Isehara JPX) Murota Junichi (Isehara JPX) Hurukado Tatuhiko (Hachioji JPX) Takeda Shigeru (Hamura JPX) Suzuki Masuo (Fussa JPX) Kurokawa Harushige (Hi, Chemical vapor deposition apparatus.
  7. Van Mastrigt Max (San Jose CA), Chemical vapor deposition apparatus.
  8. Tattermusch Peter (Altdorf DEX), Device for heating up a flow of gas.
  9. Dan Jean-Pierre (Malvaglia-Chiesa CHX) De Boni Eros (Giornico CHX) Frey Peter (Ascona CHX) Ifanger Johann (Ronco s/Ascona CHX), Epitaxial facility.
  10. Hathaway Kevin, Heating device containing a multi-lamp cone for heating semiconductor wafers.
  11. Gat, Arnon; Bogart, Bob, Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers.
  12. Gat, Arnon; Bogart, Bob, Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers.
  13. Gat, Arnon; Bogart, Bob, Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers.
  14. Gat, Arnon; Bogart, Bob; O'Carroll, Conor Patrick; Timans, Paul Janis; Choy, Shuen Chun; Koren, Zion; Bragg, Chris Francis, Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers.
  15. Gat,Arnon; Bogart,Bob, Heating device for heating semiconductor wafers in thermal processing chambers.
  16. Gat Arnon, Heating device for semiconductor wafers.
  17. Vosen Steven R., Heating device for semiconductor wafers.
  18. Foster Gerald Allen,CAX ; MacKenzie Dale William,CAX, Method and apparatus for boronizing a metal workpiece.
  19. Brors Daniel L. (Los Altos Hills CA) Fair James A. (Mountain View CA) Monnig Kenneth A. (Palo Alto CA), Method and apparatus for deposition of tungsten silicides.
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  21. Arima Noburu (Kubiki JPX) Ogino Nobuyosi (Tokyo JPX) Kimura Hirosi (Takefu JPX), Method of forming thin film and apparatus therefor.
  22. Goodwin, Dennis L., Method of processing a semiconductor wafer in a reaction chamber with a rotating component.
  23. Kirii, Seiichi; Kitagawa, Teruhisa, Polycrystalline silicon reactor.
  24. Das John H. ; Thakur Randhir P. S., Process for forming thin dielectric layers in semiconductor devices.
  25. Halpin, Michael W.; Jacobson, Paul T., Rapid bake of semiconductor substrate with upper linear heating elements perpendicular to horizontal gas flow.
  26. Brors Daniel L. (Fremont CA) Lane Larry R. (San Jose CA) Goldsborough Mark W. (Santa Clara CA) Samsel Jason M. (Milpitas CA) van Mastrigt Max (San Jose CA) Foster Robert (San Francisco CA), Rapid thermal cvd apparatus.
  27. Sandys Norman (16 Crescent Dr. Searingtown NY), Reactor for heating semiconductor substrates.
  28. Goodwin, Dennis L., Rotating semiconductor processing apparatus.
  29. Goodwin,Dennis L., Rotating semiconductor processing apparatus.
  30. Pei, Shao-Kai, Surface activation device.
  31. Ohmine Toshimitsu (Tokyo JPX) Akagawa Keiichi (Yamato JPX) Ishihata Akira (Tokyo JPX), Vapor deposition apparatus.
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