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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0378261 (1982-05-14) |
우선권정보 | JP-0134140 (1978-10-31) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 4 |
A system and method for evenly heating semiconductor wafers in a horizontal elongated reaction tube, wherein a furnace surrounding only a part of the length of the reaction tube is caused to move so as to pass along each wafer placed in the reaction tube. The system is especially useful for processi
A method for radiation heating semiconductor wafers comprising the steps of: positioning a plurality of semiconductor wafers in a substantially vertical arrangement and substantially in parallel spacing to each other in an atmosphere within a horizontally disposed elongated reaction zone, with the m
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