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Process for working up the residual gases obtained in the deposition of silicon and in the conversion of silicon tetrach

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • C01B-033/02
출원번호 US-0404983 (1982-08-04)
우선권정보 DE-3139705 (1981-10-06)
발명자 / 주소
  • Griesshammer Rudolf (Alttting DEX) Kppl Franz (Alttting DEX) Lorenz Helmut (Burghausen DEX) Steudten Friedrich (Burghausen DEX)
출원인 / 주소
  • Wacker-Chemitronic Gesellschaft fur Elektronik-Grundstoffe mbH (Burghausen DEX 03)
인용정보 피인용 횟수 : 10  인용 특허 : 2

초록

The chlorosilanes contained in the residual gases obtained in the deposition of silicon and in the conversion of silicon tetrachloride are first condensed out in liquid form. The hydrogen chloride present in the residual gases is dissolved in the condensed silicon tetrachloride. The remaining, virtu

대표청구항

A process for working up residual waste gases containing chlorosilanes, silicon tetrachloride, hydrogen and hydrogen chloride, comprising the steps of: condensing out in liquid form silicon tetrachloride, hydrogen chloride and the chlorosilanes contained in said residual gases so as to produce a con

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Coleman Larry M. (Tonawanda NY), Process for the production of ultrahigh purity silane with recycle from separation columns.
  2. Padovani Francois A. (Dallas TX) Miller Michael B. (Richardson TX) Moore James A. (Dallas TX) Fowler James H. (both of ; Plano TX) June Malcom N. (both of ; Plano TX) Matthews James D. (Denver CO) Mo, Silicon refinery.

이 특허를 인용한 특허 (10)

  1. Saiki, Wataru; Mizushima, Kazuki; Urushihara, Makoto, Apparatus and method for manufacturing trichlorosilane and method for manufacturing polycrystalline silicon.
  2. Stephen M Lord, Method for improving the efficiency of a silicon purification process.
  3. Rado Theodore A. (Oklahoma City OK), Method for processing gaseous effluent streams recovered from the vapor phase oxidation of metal halides.
  4. Shimizu, Takaaki; Oguro, Kyoji, Method for producing trichlorosilane and method for producing polycrystalline silicon.
  5. Block, Hans-Dieter; Mleczko, Leslaw; Leimk?hler, Hans-Joachim; Weber, Rainer; Werner, Knud; Schwanke, Dietmar; Sch?fer, Johannes-Peter; Wagner, Gebhard, Method for production of high purity silicon.
  6. Masuda, Nobuhisa; Tachino, Noboru, Method for separating and recovering conversion reaction gas.
  7. Paetzold, Uwe; Haeckl, Walter; Prochaska, Jan, Process for purifying chlorosilanes by distillation.
  8. Prigge Helene (Unterschleissheim DEX) Rurlnder Robert (Halsbach DEX) Schwab Michael (Neutting DEX) Bortner Hans P. (Burghausen DEX) Englmller Andreas (Burghausen DEX), Process for removing n-type impurities from liquid or gaseous substances produced in the gas-phase deposition of silicon.
  9. Rauleder, Hartwig; Bollenrath, Franz-Michael; Seiler, Harald; Kuzma, Mieczyslaw; Koopmann, Christoph, Process for the separation of chlorosilanes from gas streams.
  10. Rauleder,Hartwig; Bollenrath,Franz Michael; Seiler,Harald; Kuzma,Mieczyslaw; Koopmann,Christoph, Process for the separation of chlorosilanes from gas streams.
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