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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0404983 (1982-08-04) |
우선권정보 | DE-3139705 (1981-10-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 2 |
The chlorosilanes contained in the residual gases obtained in the deposition of silicon and in the conversion of silicon tetrachloride are first condensed out in liquid form. The hydrogen chloride present in the residual gases is dissolved in the condensed silicon tetrachloride. The remaining, virtu
A process for working up residual waste gases containing chlorosilanes, silicon tetrachloride, hydrogen and hydrogen chloride, comprising the steps of: condensing out in liquid form silicon tetrachloride, hydrogen chloride and the chlorosilanes contained in said residual gases so as to produce a con
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