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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0405384 (1982-08-05) |
우선권정보 | JP-0122457 (1981-08-06) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 1 |
SiF4 gas containing oxygen-containing silicofluoride(s) typified by (SiF3)2O as impurity can be refined to extremely high purity by making the SiF4 gas contact with HF in the presence of a liquid medium having strong affinity for water such as sulfuric acid or phosphoric acid. By reaction with HF, t
A method of refining a silicon tetrafluoride gas containing hexafluorodisiloxane as impurity, the method comprising the step of making the silicon tetrafluoride gas contact with hydrogen fluoride in the presence of a liquid medium which has strong affinity for water thereby forcing said hexafluorodi
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