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Method for etching and controlled chemical vapor deposition 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/306
  • H01L-007/36
  • B05D-005/12
  • C23C-011/00
출원번호 US-0451450 (1982-12-17)
발명자 / 주소
  • Ahmed Irfan (31 Bradford Rd. Framingham MA 01701)
인용정보 피인용 횟수 : 28  인용 특허 : 2

초록

A high velocity stream of gas comprising of either the carrier gas or one or more film forming or removing components is shot through a shooting means such as a nozzle or orifice in the form of a high speed stream of gas in a chemical vapor deposition growth chamber or within an attachment receiving

대표청구항

A method of removing a thin film from the surface of a substrate through a chemical reaction of film removing components contained in a gas contacted with the substrate surface in a reaction zone which comprises: forming a high velocity stream of gas comprising one or more film removing components b

이 특허에 인용된 특허 (2)

  1. Engle George M. (Scottsdale AZ), Method and apparatus for achieving spatially uniform externally excited non-thermal chemical reactions.
  2. Fraas ; Lewis M. ; Bleha ; Jr. ; William P., Process for low temperature stoichiometric recrystallization of compound semiconductor films.

이 특허를 인용한 특허 (28)

  1. Schmitt Jerome J. ; Halpern Bret L., Apparatus for the high speed, low pressure gas jet deposition of conducting and dielectric thin sold films.
  2. Hayashi Hisao (Kanagawa JPX) Morita Yasushi (Kanagawa JPX) Noda Mitsunari (Kanagawa JPX), Apparatus for vapor deposition.
  3. Pei, Shao-Kai, CVD device.
  4. Wolfson Robert G. (Concord MA) Vernon Stanley M. (Wellesley MA), CVD reaction chamber.
  5. Crawley John A.,GBX ; Saywell Victor J.,GBX, Chemical vapor deposition.
  6. Warnes, Bruce M.; Purvis, Andrew L.; Near, Daniel L., Chemical vapor deposition apparatus and method.
  7. Warnes, Bruce M.; Purvis, Andrew L.; Near, Daniel L., Chemical vapor deposition apparatus and method.
  8. Gale Ronald P. (Sharon MA) Fan John C. C. (Chestnut Hill MA), Chemical vapor deposition reactor.
  9. Olson Roger Allen ; Kopitzke ; III Frederick William ; O'Connor Joseph Patrick, Continuous vapor deposition apparatus.
  10. DeDontney, Jay Brian, Dual path gas distribution device.
  11. Dedontney, Jay B., Dual path gas distribution device.
  12. Dedontney, Jay Brian, Dual path gas distribution device.
  13. Moss Rodney H. (Felixstowe GB2) Spurdens Paul C. (Woodbridge GB2), Growth of semi-conductors and apparatus for use therein.
  14. Kamian, George; Moslehi, Mehrdad M., High efficiency epitaxial chemical vapor deposition (CVD) reactor.
  15. Moslehi, Mehrdad M.; Kramer, Karl-Josef; Ashjaee, Jay; Kamian, George D.; Mordo, David; Yonehara, Takao, High productivity deposition reactor comprising a gas flow chamber having a tapered gas flow space.
  16. Wary John ; Beach William F. ; Olson Roger A., Internally heated pyrolysis zone.
  17. Allen Michael B. ; Swartz Dennis C. ; Lee Patrick B., Low pressure chemical vapor deposition apparatus including a process gas heating subsystem.
  18. Lu Po-Yen (Westfield NJ) Wang Chi-Hua (Taiwan NJ TWX) Williams Larry M. (Piscataway NJ), Low temperature deposition utilizing organometallic compounds.
  19. Schmitt Jerome J. (265 College St. (12N) New Haven CT 06510), Method and apparatus for the deposition of solid films of a material from a jet stream entraining the gaseous phase of s.
  20. Guilmette, Joseph G.; Wright, Robert C., Method and apparatus for the recovery and recycling of condensable gas reactants.
  21. Nakayama Izumi,JPX ; Suzuki Akitoshi,JPX ; Kusumoto Yoshiro,JPX ; Takakuwa Kazuo,JPX ; Ikuta Tetsuya,JPX, Method for thermal chemical vapor deposition.
  22. Wary John ; Beach William F. ; Olson Roger A., Parylene polymer layers.
  23. Learn, Arthur J.; Du Bois, Dale R.; Miller, Nicholas E.; Seilheimer, Richard A., Primary flow CVD apparatus comprising gas preheater and means for substantially eddy-free gas flow.
  24. Keck David W. ; Nagai Kenichi ; Yatsurugi Yoshifumi,JPX ; Morihara Hiroshi ; Izawa Junji,JPX ; Yuthok Renzin Paljor, Production of high-purity polycrystalline silicon rod for semiconductor applications.
  25. Jacubert Serge (Viroflay FRX) Boudot Bernard (Paris FRX) Nataf Philippe (Paris FRX), Production of shaped articles of ultra-pure silicon.
  26. Hong, Jong-Won; Jeong, Min-Jae; Na, Heung-Yeol; Kang, Eu-Gene; Chang, Seok-Rak, Source gas supply unit, and deposition apparatus and method using the same.
  27. Suzuki Keizo (Kodaira JPX) Ninomiya Ken (Hachioji JPX) Nishimatsu Shigeru (Kokubunji JPX) Okada Osami (Chofu JPX), Surface treatment apparatus.
  28. Clawson Arthur R. (San Diego CA), Thermally-activated vapor etchant for InP.
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