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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0451450 (1982-12-17) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 28 인용 특허 : 2 |
A high velocity stream of gas comprising of either the carrier gas or one or more film forming or removing components is shot through a shooting means such as a nozzle or orifice in the form of a high speed stream of gas in a chemical vapor deposition growth chamber or within an attachment receiving
A method of removing a thin film from the surface of a substrate through a chemical reaction of film removing components contained in a gas contacted with the substrate surface in a reaction zone which comprises: forming a high velocity stream of gas comprising one or more film removing components b
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