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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0449529 (1982-12-13) |
우선권정보 | GB-0038761 (1981-12-23) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 0 |
A method and a mould for making a cast single crystal in which the casting mould comprises a main casting chamber and a seed crystal mounted at or adjacent the entry aperture to this chamber. The charge of molten metal is arranged to flow over the crystal to produce melting of its upper surface. The
A method of making a cast single crystal comprising the steps of: (a) providing a mould having a main mould cavity and an entry aperture of said main mould cavity, (b) mounting a seed crystal in or adjacent to said entry aperture, the mould and the seed crystal resting on a chill adapted to cool sai
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