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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0445493 (1982-11-30) |
우선권정보 | JP-0194575 (1981-12-04); JP-0111499 (1982-06-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 14 인용 특허 : 4 |
When heating a semiconductor wafer by means of application of radiated light, subsidiary heating means which elongates along the circumference of the wafer is employed to additionally heat or to preheat the circumferential portion of the wafer so as to make the temperature of the wafer uniform at th
A method for heating a semiconductor wafer by means of application of light radiated from a light source, which method comprises the steps of arranging subsidiary electrical heating means adjacent to and extending along the circumference of the semiconductor wafer; and heating the semiconductor wafe
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