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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0365782 (1982-04-05) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 129 인용 특허 : 15 |
A plasma arc discharge method for deposition of metallic and semiconductor layers on a substrate for the purpose of producing semiconductor grade materials such as silicon at a reduced cost is disclosed. Magnetic fields are used so that silicon ions and electrons can be directed toward a target area
A method for refining semiconductor materials comprising: (a) providing a vacuum environment; (b) establishing a plasma between an anode and a cathode; (c) accelerating the plasma with an accelerating magnet; (d) placing a substance comprising a semiconductor metal in the plasma, thereby forming a p
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