최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0472392 (1983-03-04) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 3 |
Crystals of silicon carbide and aluminum nitride, substrates containing same, and the fabrication thereof.
Structure containing epitaxial crystals of (SiC)x(AlN)1-x on a substrate wherein x is about 0.2 to about 0.5, and wherein said substrate is selected from the group of Al2O3 and AlN C-axis crystals.
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.