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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0551186 (1983-11-14) |
우선권정보 | JP-0102290 (1980-07-25) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 11 인용 특허 : 2 |
A MOS type semiconductor device effectively supplying potential to a substrate region under the channel forming region of the MOS transistor on an insulating substrate. The potential is supplied to the one conductivity type substrate region under the channel forming region which is provided on an in
A MOS type semiconductor device comprising: an insulating substrate; a substrate region of one conductivity type provided on said insulating substrate, said substrate region positioned under a channel region, and said substrate region having an extended substrate portion extending in the channel len
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