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특허 상세정보

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Silicon deposition process

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) B05D-005/12    C23C-011/00   
미국특허분류(USC) 427/8 ; 427/2551
출원번호 US-0453654 (1982-12-27)
발명자 / 주소
인용정보 피인용 횟수 : 17  인용 특허 : 4
초록
▼

A step-wise process is disclosed for the efficient deposition of silicon. The process begins by reacting trichlorosilane and hydrogen on a heated substrate to deposit silicon. Silicon deposition efficiency of this reaction is determined by measuring the silicon to chlorine ratio in the deposition reaction effluent. The silicon-bearing effluent from the deposition reaction includes trichlorosilane, dichlorosilane, and silicon tetrachloride. The silicon-bearing effluent is collected in a first accumulator. The deposition reaction is continued using the col...

대표
청구항
▼

In a process for depositing silicion wherein a silicon bearing reactant and hydrogen are reacted in a deposition reactor to deposit silicon on a substrate and wherein a silicon-bearing effluent is produced, the improvement which comprises: reacting trichlorosilane and hydrogen to initiate said process and to deposit an amount of silicon; thereafter, in a step-wise manner, collecting a quantity of said effluent, and using said quantity of said effluent together with an amount of trichlorosilane as reactant input to the next step of said process, said amou...

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Suzuki Takaya (Katsuta JPX) Inoue Yosuke (Tokaimura JPX) Aoyama Takashi (Hitachi JPX). Method for chemical vapor deposition. USP1983064388342.
  2. Reuschel ; Konrad ; Dietze ; Wolfgang ; Rucha ; Ulrich. Process for depositing elemental silicon semiconductor material from a gas phase. USP1978114125643.
  3. Reuschel Konrad (Vaterstetten DEX) Dietze Wolfgang (Munich DEX) Rucha Ulrich (Munich DEX). Process for depositing elemental silicon semiconductor material from a gas phase. USP1979044148931.
  4. Schumacher ; Joseph C.. Process for the production of silicon of high purity. USP1978044084024.

이 특허를 인용한 특허 피인용횟수: 17

  1. Kamei, Takeshi; Takimoto, Yasunari. Apparatus and method for producing purified hydrogen gas by a pressure swing adsorption processes. USP2013048431082.
  2. Gadre, Sarang; Kosuri, Madhava R.. Effluent gas recovery system in polysilicon and silane plants. USP2012058187361.
  3. Winterton,Lyle C.; Hill,John P.. Energy efficient method for growing polycrystalline silicon. USP2006097105053.
  4. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Fluidized bed reactor systems. USP2014128906313.
  5. Erk, Henry F.. Fluidized bed reactor systems and distributors for use in same. USP2014098828324.
  6. Hawtof, Daniel W.; Henderson, Danny L.; Smith, Greg E.; Urruti, Eric H.. Method and apparatus for forming fused silica by combustion of liquid reactants. USP2003056565823.
  7. Blackwell Jeffery L. ; Fu Xiaodong ; Hawtof Daniel W. ; Henderson Danny L.. Method and apparatus for forming silica by combustion of liquid reactants using a heater. USP1999115979185.
  8. Blackwell Jeffery Lynn ; Fu Xiaodong ; Hawtof Daniel Warren ; Powers Dale Robert. Method for forming silica by combustion of liquid reactants using oxygen. USP2001116312656.
  9. Chu Ting L. (Dallas TX) Chu Shirley S. (Dallas TX). Method for production of polysilanes and polygermanes, and deposition of hydrogenated amorphous silicon, alloys thereof,. USP1988124792460.
  10. Henderson Danny L. (Wilmington NC) Powers Dale R. (Painted Post NY). Method for purifying polyalkylsiloxanes and the resulting products. USP1997125703191.
  11. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Methods for introducing a first gas and a second gas into a reaction chamber. USP2014058728574.
  12. Kulkarni, Milind S.; Gupta, Puneet; Devulapalli, Balaji; Ibrahim, Jameel; Revankar, Vithal; Foli, Kwasi. Methods for producing polycrystalline silicon that reduce the deposition of silicon on reactor walls. USP2013038404206.
  13. Ivanov Leonard Stepanovich (Dokuchaev pereulok ; 17 ; kv. 62 Moscow RUX) Chernikov Georgy Evgenievich (Komsomolsky bulvar ; 4 ; kv. 44 Tjumenskaya oblast ; Nizhnevartovsk RUX) Eljutin Alexandr Vyache. Process for producing silicon carbide layers and an article. USP1997125698261.
  14. Alkemper,Jochen; Schuhmacher,Joerg; Hack,Hrabanus; Sohr,Oliver. SiO-TiOglass body with improved resistance to radiation. USP2007027172983.
  15. Arvidson, Arvid Neil; Molnar, Michael. Silicon production with a fluidized bed reactor integrated into a Siemens-type process. USP2013128609058.
  16. Carr Robert W. ; Tonkovich Anna Lee Y.. Simulated countercurrent moving bed chromatographic reactor and method for use thereof. USP2001076258993.
  17. Carr Robert W. ; Tonkovich Anna Lee Y.. Simulated countercurrent moving bed chromatographic reactor and method for use thereof. USP2001076265626.

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