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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0287467 (1981-07-27) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 8 |
A method is given for forming a planarized integrated circuit structure just prior to the formation of metallurgy interconnection lines on the integrated circuit. The method begins with the integrated circuit intermediate product having devices formed therein but before interconnection metallurgy ha
A method for forming a planarized integrated circuit structure comprising: providing an integrated circuit intermediate product having devices formed therein but before metallurgy has been formed on a principal surface of said product and having a non-planar surface composed of many step-like irregu
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