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Optical scanning method of testing material defects 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • G01R-001/06
출원번호 US-0302150 (1981-09-14)
발명자 / 주소
  • Lin Hung C. (8 Schindler Ct. Silver Spring MD 20903)
인용정보 피인용 횟수 : 8  인용 특허 : 0

초록

A method of testing material defects utilizing photovoltaic effect. A detachable, transparent probe coated with either transparent metal or semiconductor is placed in contact with the material under test. The contact forms either a Schottky barrier or a p-n junction. A light spot scanning the materi

대표청구항

A method of detecting defects in a material comprising the steps of placing an at least partially transparent probe on said material, said probe forming a potential barrier with said material, scanning a light spot over said probe, producing a photovoltaic effect where said light spot is incident, s

이 특허를 인용한 특허 (8)

  1. Howland, William H., Apparatus and method for determining electrical properties of a semiconductor wafer.
  2. Kamieniecki Emil (Lexington MA) Goldfarb William C. (Melrose MA) Wollowitz Mike (Cambridge MA), Apparatus for making surface photovoltage measurements of a semiconductor.
  3. Samejima, Toshiyuki; Watakabe, Hajime, Apparatus for measuring electric characteristics of semiconductor.
  4. Wu Mingde Nevil, Functional OBIC analysis.
  5. Wu Mingde Nevil, Functional OBIC analysis.
  6. Goodman Alvin M. (Princeton NJ), Method for revealing semiconductor surface damage using surface photovoltage (SPV) measurements.
  7. Gittleman Jonathan I. (Lawrenceville NJ) Bozowski Stanley (Trenton NJ), Non-destructive testing of SOS wafers using surface photovoltage measurements.
  8. Kazuhisa Sueoka JP, Thin film spin probe.
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