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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0302150 (1981-09-14) |
발명자 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 8 인용 특허 : 0 |
A method of testing material defects utilizing photovoltaic effect. A detachable, transparent probe coated with either transparent metal or semiconductor is placed in contact with the material under test. The contact forms either a Schottky barrier or a p-n junction. A light spot scanning the materi
A method of detecting defects in a material comprising the steps of placing an at least partially transparent probe on said material, said probe forming a potential barrier with said material, scanning a light spot over said probe, producing a photovoltaic effect where said light spot is incident, s
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