[특허]Biasing method for improved performance in field effect devices

Biasing method for improved performance in field effect devices 원문보기

IPC분류정보
국가/구분	United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)	H03F-003/16
출원번호	US-0470522 (1983-02-28)
발명자 / 주소	Knapp Richard P. (Hermosa Beach CA)
출원인 / 주소	Kavanau Lawrence (Long Beach CA 14a part interest)
인용정보	피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 0

초록 ▼

A biasing method to obtain improved performance of Field Effect Devices is disclosed. In accordance with the method, the nominal operating point for a Field Effect Device is chosen so that the electric field in the drain depletion region is biased in the carrier partial velocity saturation regime. With this biasing, the transconductance and output conductance of the field effect device have the same current dependence so that the ratio of these two parameters is independent of current. Thus the gain of the device is independent of bias source noise so that the bias source noise does not modulate the input signal. In addition, if a device is biased in accordance with the present invention, the drain noise modulation of the edge of the drain depletion zone emulates that created by a gate input, so that the depletion zone noise may be considered as a gate input noise, and the transconductance is not intermodulated by that noise. Accordingly, the output of the device is substantially free of noise intermodulation components and has maximum coherence with an equivalent gate input so as to both minimize the noise output by the field effect device and allow maximum reduction of the noise when using feedback.

대표청구항 ▼

A method of minimizing transistor by noise, the field effect transistor having a gate, source and drain comprising setting the quiescent bias point of the field effect transistor by setting the gate to source voltage and the drain to source voltage to operate the transistor in the current saturation region with an electric field in a drain depletion zone such that the carrier velocity is in the partial carrier velocity saturation zone to provide a carrier drift velocity approximately proportional to the square root of the electric field to distort the output conductance functional with current to substantially match the transconductance functional with current to substantially match the transconductance functional with current, thereby linearizing the voltage transfer function of the device, defined Av=gm/go, where gm is the transconductance and go is the output conductance of the field effect transistor.

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IPC	Description
A	생활필수품
A62	인명구조; 소방(사다리 E06C)
A62B	인명구조용의 기구, 장치 또는 방법(특히 의료용에 사용되는 밸브 A61M 39/00; 특히 물에서 쓰이는 인명구조 장치 또는 방법 B63C 9/00; 잠수장비 B63C 11/00; 특히 항공기에 쓰는 것, 예. 낙하산, 투출좌석 B64D; 특히 광산에서 쓰이는 구조장치 E21F 11/00)
A62B-1/08	.. 윈치 또는 풀리에 제동기구가 있는 것

내보내기 구분	파일저장 인쇄 메일전송
구성항목	기본정보 상세정보 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표IPC 관리번호, 국가코드, 자료구분, 상태, 출원번호, 출원일자, 공개번호, 공개일자, 공고번호, 공고일자, 등록번호, 등록일자, 발명명칭(한글), 발명명칭(영문), 출원인(한글), 출원인(영문), 출원인코드, 대표출원인, 출원인국적, 출원인주소, 발명자, 발명자E, 발명자코드, 발명자주소, 발명자 우편번호, 발명자국적, 대표IPC, IPC코드, 요약, 미국특허분류, 대리인주소, 대리인코드, 대리인(한글), 대리인(영문), 국제공개일자, 국제공개번호, 국제출원일자, 국제출원번호, 우선권, 우선권주장일, 우선권국가, 우선권출원번호, 원출원일자, 원출원번호, 지정국, Citing Patents, Cited Patents
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