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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0534299 (1983-09-21) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 9 인용 특허 : 5 |
Silicon carbide can be produced by the pyrolysis of branched polycarbosilanes which in turn are produced directly from selected monomer systems.
A process for producing silicon carbide which comprises pyrolyzing in an inert atmosphere a branched polycarbosilane which has been produced by reacting, with an active metal in an inert solvent at an elevated temperature, a compound system having at least two different monomers of the formula (I) (
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