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특허 상세정보

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Method of making yttrium silicon oxynitrides

특허상세정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판) C04B-035/58    C01F-017/00   
미국특허분류(USC) 423/263 ; 501/97 ; 501/98
출원번호 US-0527643 (1983-07-19)
국제출원번호 PCT/US83/01115 (1983-07-19)
§371/§102 date 19830719 (19830719)
국제공개번호 WO-8500583 (1985-02-14)
발명자 / 주소
  • Ezis Andre (Grosse Ile MI) Blair Howard D. (Romulus MI)
출원인 / 주소
  • Ford Motor Company (Dearborn MI 02)
인용정보 피인용 횟수 : 2  인용 특허 : 4
초록
▼

A method of making a powder additive consisting of yttrium silicon oxynitrides, preferably of the Y10Si6O24N2 or YSiO2N phases, is disclosed. Stoichiometric amounts of Y2O3, SiO2, and Si3N4 are mixed and arranged in intimate reactive contact, the amounts being to form a desired oxynitride according to the formula YaSibOcNd, where a, b, c and d represent the required element parts of the compound in equilibrium with the mixture elements. The mixture is heated in an inert atmosphere to a temperature and for a time sufficient to convert the stoichiometric a...

대표
청구항
▼

A method of making yttrium silicon oxynitrides according to the formula YaSibOcNd, by the steps comprising: (a) mixing together, in intimate reactive contact, stoichiometric amounts of Y2O3SiO2, and Si3N4 to form a desired yttrium silicon oxynitride where a, b, c, and d represent the required element parts of the compound in equilibrium with the mixture element parts, said SiO2 may be present as an oxide coating on said Si3N4; (b) heating the mixture in an inert atmosphere to a temperature level and for a time sufficient to convert the stoichiometric amo...

이 특허에 인용된 특허 (4)

  1. Washburn Malcolm E. (Princeton MA), High density silicon oxynitride.
  2. Smith J. Thomas (Acton MA), Oxidation resistant silicon nitride containing rare earth oxide.
  3. Nishida Katsutoshi (Yokohama JPX) Komatsu Michiyasu (Yokohama JPX) Miyano Tadashi (Sagamihara JPX), Si3N4 Ceramic powder material and method for manufacturing the same.
  4. Lange ; Frederick F. ; Singhal ; Subhash C., Silicon nitride compositions in the Si.sub.3 N.sub.4 -Y.sub.2 O.sub.3 -SiO.sub.2 system.

이 특허를 인용한 특허 (2)

  1. Beckwith Elaine C. (Riverview MI), Method of making oxynitrides.
  2. Kobayashi, Yoshimasa; Katsuda, Yuji, Yttrium oxide material, member for use in semiconductor manufacturing apparatus, and method for producing yttrium oxide material.

IPC 상위 출원인