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Method of fabricating submicron silicon structures such as permeable base transistors 원문보기

IPC분류정보
국가/구분 United States(US) Patent 등록
국제특허분류(IPC7판)
  • H01L-021/306
  • B44C-001/22
  • C03C-015/00
  • C03C-025/06
출원번호 US-0448163 (1982-12-09)
발명자 / 주소
  • Chi Jim-Yong (Bedford MA) Holmstrom Roger P. (Wayland MA)
출원인 / 주소
  • GTE Laboratories (Waltham MA 02)
인용정보 피인용 횟수 : 41  인용 특허 : 0

초록 ▼

Submicron silicon structures are fabricated by repeat oxidation and stripping the walls of a U-groove leaving thin silicon fingers. This method may be used to fabricate a silicon transistor having an emitter and a collector separated by a channel. The channel is formed in a silicon finger by a Schot

대표청구항 ▼

A method of fabricating silicon structures, comprised of the following steps: a. forming a plurality of U-grooves in a semiconductor wafer with adjacent grooves defining a structure with a width equal to the distance between said grooves; b. forming an oxide layer upon the walls of said U-grooves; c

이 특허를 인용한 특허 (41)

  1. Segal, Brent M.; Brock, Darren K.; Rueckes, Thomas, Device selection circuitry constructed with nanotube ribbon technology.
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  2. Segal,Brent M.; Brock,Darren K.; Rueckes,Thomas, Device selection circuitry constructed with nanotube technology.
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  3. Jaiprakash,Venkatachalam C.; Ward,Jonathan W.; Rueckes,Thomas; Segal,Brent M., Devices having horizontally-disposed nanofabric articles and methods of making the same.
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  4. Jaiprakash,Venkatachalam C.; Ward,Jonathan W.; Rueckes,Thomas; Segal,Brent M., Devices having vertically-disposed nanofabric articles and methods of making the same.
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  5. Segal, Brent M.; Brock, Darren K.; Rueckes, Thomas, Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same.
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  6. Segal,Brent M.; Brock,Darren K.; Rueckes,Thomas, Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same.
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  7. Segal,Brent M.; Brock,Darren K.; Rueckes,Thomas, Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same.
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  8. Segal, Brent M.; Brock, Darren K.; Rueckes, Thomas, Electromechanical memory having cell selection circuitry constructed with nanotube technology.
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  9. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M.; Bertin, Claude L., Electromechanical three-trace junction devices.
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  10. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M.; Brock, Darren K., Electromechanical three-trace junction devices.
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  11. Rueckes,Thomas; Segal,Brent M.; Bertin,Claude, Electromechanical three-trace junction devices.
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  12. Malaviya Shashi D. (Hopewell Junction NY), Fabrication of stud-defined integrated circuit structure.
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  13. Hafez, Walid M.; Jan, Chia-Hong, Fin-based semiconductor devices and methods.
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  14. Cheng, Kangguo; Hsu, Louis Lu-Chen; Mandelman, Jack Allan; Sheets, II, John Edward, FinFET with reduced gate to fin overlay sensitivity.
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  15. Gunter, Liberty L.; Chu, Kanin; Eddy, Jr., Charles R.; Moustakas, Theodore D.; Bellotti, Enrico, GaN-based permeable base transistor and method of fabrication.
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  16. Gunter, Liberty L; Chu, Kanin; Eddy, Jr., Charles R; Moustakas, Theodore D; Bellotti, Enrico, GaN-based permeable base transistor and method of fabrication.
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  17. Gunter,Liberty L; Chu,Kanin; Eddy, Jr.,Charles R; Moustakas,Theodore D; Bellotti,Enrico, GaN-based permeable base transistor and method of fabrication.
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  18. Segal, Brent M.; Brock, Darren K.; Rueckes, Thomas, Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory.
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  19. Segal, Brent M.; Brock, Darren K.; Rueckes, Thomas, Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory.
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  20. Segal,Brent M.; Brock,Darren K.; Rueckes,Thomas, Hybrid circuit having nanotube electromechanical memory.
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  21. Yen Yung-Chau (San Jose CA), Metallization technique for integrated circuit structures.
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  22. Daniele Joseph J. (Pittsford NY), Method of fabricating electro-mechanical modulator arrays.
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  23. Holmstrom Roger P. (Wayland MA) Chi Jim-Yong (Bedford MA), Method of forming an isolated semiconductor structure.
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  24. Bencuya Izak (San Jose CA) Cogan Adrian I. (San Jose CA), Method of making junction field effect transistor of static induction type.
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  25. Vögeli, Bernhard; Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Method of making nanotube permeable base transistor.
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  26. Cogan Adrian I. (San Jose CA) Blanchard Richard A. (Los Altos CA), Method of making vertical current flow field effect transistor.
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  27. Ward, Jonathan W.; Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Methods of making carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles.
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  28. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M.; Brock, Darren K., Methods of making electromechanical three-trace junction devices.
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  29. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M.; Brock, Darren K., Methods of making electromechanical three-trace junction devices.
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  30. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Methods of nanotube films and articles.
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  31. Rueckes,Thomas; Segal,Brent M., Methods of nanotube films and articles.
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  32. Rueckes,Thomas; Segal,Brent M., Methods of nanotubes films and articles.
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  33. Ward,Jonathan W.; Rueckes,Thomas; Segal,Brent M., Methods of using pre-formed nanotubes to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles.
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  34. Ward, Jonathan W.; Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Methods of using thin metal layers to make carbon nanotube films, layers, fabrics, ribbons, elements and articles.
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  35. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Nanotube films and articles.
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  36. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Nanotube films and articles.
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  37. Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Nanotube films and articles.
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  38. Vögeli, Bernhard; Rueckes, Thomas; Segal, Brent M., Nanotube permeable base transistor.
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  39. Chapple-Sokol Jonathan D. (Poughkeepsie NY) Subbanna Seshadri (Hopewell Junction NY) Tejwani Manu J. (Yorktown Heights NY), One dimensional silicon quantum wire devices and the method of manufacture thereof.
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  40. Nakamura Yoshio,JPX ; Miyawaki Mamoru,JPX ; Ueno Isamu,JPX, Semiconductor device and manufacturing process therefor.
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  41. Darwin A. Clampitt, Semiconductor structure having more usable substrate area and method for forming same.
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