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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0389802 (1982-06-18) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 15 인용 특허 : 2 |
A method of producing articles comprising reaction-bonded silicon carbide (SiC) and graphite (and/or carbon) is given. The process converts the graphite (and/or carbon) in situ to SiC, thus providing the capability of economically obtaining articles made up wholly or partially of SiC having any size
A method of forming a shaped product having a surface layer of silicon carbide (SiC) reaction bonded to an inner structure consisting essentially of carbon, comprising the steps of: (a) generating SiO gas at a concentration of between about 5 and 50 volume percent by heating solid silicon dioxide (S
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