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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0547197 (1983-10-31) |
우선권정보 | GB-0032779 (1982-11-17) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 7 인용 특허 : 3 |
A method of manufacturing thin film dielectric material by directing vapors of reactants containing lead and additional metals and an oxidizing gas onto a heated substrate to form a layer of dielectric material thereon, which layer can be of a high dielectric constant (greater than 5000).
A method of manufacturing thin film dielectric material comprising the steps of: directing vapors of reactants containing lead and at least two additional metals including Fe and Nb and an oxidizing gas onto a substrate having a temperature at which oxides result from the reaction of the reactants w
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