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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0448592 (1982-12-10) |
우선권정보 | JP-0200644 (1981-12-11) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 18 인용 특허 : 4 |
A semiconductor device with a semiconductor element encased in a hollow ceramic package. The portion of the package at which the semiconductor element is disposed is formed from a SiC-based substrate containing Be or a compound of Be with a thin SiO2 layer being capable of reacting with glass provid
A semiconductor device, comprising: an insulating substrate comprising non-oxide ceramic as the main component and having a coefficient of thermal expansion approximating to that of a semiconductor material and a thermal conductivity not smaller than 0.2 cal/sec.cm.°C. at room temperature, an oxide
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