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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0434603 (1982-10-15) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 20 인용 특허 : 3 |
A corrosion-resistant, multilayer photoelectrode for use in a photoelectrochemical cell and a process for producing said photoelectrode by preparing an effective layer of an insulator material on a base semiconductor and depositing a layer of conducting material on said layer of insulating material.
A multilayer structure which comprises: (a) an n-type semiconductor; (b) a first layer which is in direct contact with said n-type semiconductor, wherein said first layer comprises a compound which contains at least one first element in anionic form which is selected from the group consisting of pho
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