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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0480528 (1983-03-30) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 10 인용 특허 : 4 |
The invention relates to a process for producing silicon diaphragm pressure transducers, and to pressure transducers so produced, which will operate in high temperature applications above 150°C. by properly insulating the strain gauges from the diaphragm. This is achieved by utilizing two properly o
A laminate for use as a high temperature pressure transducer, said laminate comprised of a silicon wafer oriented (100) and having a silicon gauge wafer film rich in boron laminated to one side thereof, said laminate obtained by the steps of (a) selecting a diaphragm wafer; (b) selecting a gauge waf
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