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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0614529 (1984-05-29) |
우선권정보 | DE-3332447 (1983-09-08) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 6 인용 특허 : 2 |
A process for the removal of carbon- and iron-containing impurities from silicon fragments which result when polycrystalline formed silicon bodies produced by vapor phase deposition undergo a crushing treatment. The removal is effected by several steps comprising nitrate treatment, annealing, acid a
A process for removing impurities from silicon fragments which result when polycrystalline silicon formed bodies are subjected to a crushing treatment, said process comprising the steps of: (a) treating the silicon fragments with an aqueous solution of nitrate salts; (b) annealing the so-treated fra
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