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NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
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국제특허분류(IPC7판) |
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출원번호 | US-0447599 (1982-12-07) |
발명자 / 주소 |
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출원인 / 주소 |
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인용정보 | 피인용 횟수 : 17 인용 특허 : 8 |
A Schottky barrier diode formed of iridium-silicon material having a frequency response encompassing the 3.0 to 5.0 micrometer infrared band. The bandwidth, uniformity of response and silicon base material of such diodes renders them ideally suited for use in large scale focal plane arrays associate
A Schottky barrier infrared photovoltaic detector wherein the operation of said detector in the infrared portion of the electromagnetic spectrum is by internal photoemission of holes over an electrical barrier, said detector comprising: a silicon substrate having a first and an opposed second surfac
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