최소 단어 이상 선택하여야 합니다.
최대 10 단어까지만 선택 가능합니다.
다음과 같은 기능을 한번의 로그인으로 사용 할 수 있습니다.
NTIS 바로가기국가/구분 | United States(US) Patent 등록 |
---|---|
국제특허분류(IPC7판) |
|
출원번호 | US-0699283 (1985-02-07) |
발명자 / 주소 |
|
출원인 / 주소 |
|
인용정보 | 피인용 횟수 : 16 인용 특허 : 2 |
Nitrosyl fluoride is prepared by laser-induced method wherein the nitrosyl fluoride is produced in situ or in close proximity to where it is used to etch semiconductor surfaces. A reaction mixture of a catalyst compound and a fluoro compound, wherein the catalyst compound is an oxide of nitrogen sel
A method for laser-induced production of gaseous nitrosyl fluoride for the continuous etching of a semiconductor silicon wafer by gaseous nitrosyl fluoride, said method comprising: (i) filling a laser reaction cell with a gaseous mixture of a catalyst compound of an oxide of nitrogen selected from t
※ AI-Helper는 부적절한 답변을 할 수 있습니다.